Этот прототип включал около 20 млрд транзисторов на одном чипе размером с ноготь.
Организациям , Globalfoundries и Самсунг, входящим в объединение Research Alliance, при помощи поставщиков оборудования удалось создать 1-ый в ветви техпроцесс для изготовления транзисторов с нанослоями кремния. Отметим, что с момента, когда IBM удалось сделать первую 7-нанометровую микросхему с функционирующими транзисторами, прошло наименее 2-х лет.
с партнерами альтернативную архитектуру транзисторов с применением 3-х кремниевых «нанослоев», что позволило увеличить работоспособность чипов на 40% — другими словами, расположить на плате размером с человеческий ноготь не 20 млрд транзисторов, как было доступно ранее, а 30 млрд, при всем этом снизив потребление энергии на 0,75 по сранвнению с 10-нанометровыми аналогами. Они посылают электроны через 4 затвора, но в случае с самыми продвинутыми транзисторами FinFET речь может идти о 3-х затворах. Но как в свое время Мукеш Харе, вице-президент отдела по исследованию полупроводниковых технологий в IBM, FinFET не может развиваться геометрически, а поэтому данная отрасль пробует все меньше использовать эту технологию.
Однако, как объявил уполномоченный IBM, о коммерческом производстве 5-нм чипов еще пока говорить рано.
О четких сроках начала серийного выпуска 5-нм чипов не сообщается.
До этого специалисты IBM первые в мире 7-нм чипы, имеющие по 20 млрд транзисторов. Но компания Intel уже начала внедрять 10-нм технологии.
